发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (1) angegeben, wobei eine Leuchtdiodenstruktur (1a) mit einer Strahlungsaustrittsseite (1b) bereitgestellt wird, wobei die Leuchtdiodenstruktur (1a) eine Halbleiterschichtenfolge (3) und eine aktive Schicht (3a) umfasst, und wobei säulenartige Strukturelemente (4) an der Strahlungsaustrittsseite (1b) ausgebildet sind und die Strukturelemente (4) eine Haupterstreckungsrichtung in Richtung senkrecht auf die Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweisen, und ein Konvertermaterial (5) auf die Strahlungsaustrittsseite (1b) mit den Strukturelementen (4) aufgebracht wird, wobei das Konvertermaterial (5) in einer ersten Relativbewegung (A) relativ zur Leuchtdiodenstruktur (1a) und parallel zur Haupterstreckungsrichtung der Strukturelemente (4) bewegt wird, und das Konvertermaterial (5) in einer zweiten Relativbewegung (B) senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung der Strukturelemente (4) bewegt wird. |
申请公布号 |
DE102014117803(A1) |
申请公布日期 |
2016.06.09 |
申请号 |
DE201410117803 |
申请日期 |
2014.12.03 |
申请人 |
OSRAM Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
Scholz, Dominik;Mandl, Martin |
分类号 |
H01L33/50;H01L21/326;H01L33/52 |
主分类号 |
H01L33/50 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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