新規形態のケイ素およびその作製方法

摘要

本発明は、新規な相のケイ素Ｓｉ２４、およびその作製方法に関する。Ｓｉ２４は、１．３４ｅＶの直接ギャップ値および１．３ｅＶの間接ギャップ値をもつ擬似的直接バンドギャップを有する。本発明は、また、式Ｎａ４Ｓｉ２４の化合物、およびその作製方法に関する。Ｎａ４Ｓｉ２４は、Ｓｉ２４を作製するための前駆体として使用できる。