发明名称 |
极紫外光源 |
摘要 |
在靶位置处提供靶材料,靶材料包括当被转换成等离子体时发射极紫外光的材料,并且靶材料沿着第一方向在第一限度内和沿着第二方向在第二限度内延伸;将放大光束沿着传播方向朝向靶位置引导;和使放大光束聚焦在焦平面中,其中靶位置在焦平面之外并且放大光束与靶材料之间的相互作用将靶材料的至少一部分转换成发射EUV光的等离子体。 |
申请公布号 |
CN105935007A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201580005388.7 |
申请日期 |
2015.01.19 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
R·J·拉法克;D·布朗;侯凯钟;R·L·桑德斯托洛姆 |
分类号 |
H05G2/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05G2/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;吕世磊 |
主权项 |
一种减少极紫外(EUV)光系统中的背向反射的方法,所述方法包括:提供靶材料,所述靶材料包括当被转换成等离子体时发射极紫外光的材料并且使沿着传播方向传播的光在第一方向上反射;修改所述靶材料的几何分布以形成经修改的靶,所述经修改的靶包括使沿着所述传播方向传播的光在不同于所述第一方向的第二方向上反射的光学反射表面;和将来自光源的放大光束沿着所述传播方向朝向所述经修改的靶的所述反射表面引导,所述放大光束将所述经修改的靶的至少一部分转换成发射EUV光的等离子体并产生所述放大光束的在所述第二方向上行进的反射,以由此将所述反射引导远离所述源。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |