| 主权项 |
1.一种系统,包含:一磁头,用以侦测发自相对于此磁头为可移动之一媒介之代表资讯的磁场,该磁头具备其上有一转换间隙及一导磁轭之一磁头面、一磁阻元件、及一导电偏压元件,用以产生一与磁阻元件交叉之磁场;一量测装置,连接至磁阻元件;及一电流装置,连接至导电偏压元件;其特征为:该磁头之导电偏压元件系导磁的,且形成导磁轭之一部分。2.如申请专利范围第1项之系统,其中导磁轭包含一邻近磁头面之一第一磁通导引元件,及与磁头面分开,一第二磁通导引元件,在该磁通导引元件之间有一间隙由磁阻元件所沟通,其特征为导电偏压元件构成第二磁通导引元件。3.一种磁头,供使用于申请专利范围第1项之系统中,其中磁头具有其上有一转换间隙及一导磁轭之一磁头面,一磁阻元件及用以产生一磁场而与磁阻元件相交之一导电偏压元件,其特征为导电偏压元件系导磁,且形成导磁轭之一部分,而有连接面供该导电偏压元件与一电流装置成电连接。4.如申请专利范围第3项之磁头,其中导磁轭包括一邻近磁头面之磁通导引元件,其特征为由磁阻元件所沟通之间隙延伸于邻近磁头面之磁通导引元件及隔开磁头面之导电偏压元件之间。5.如申请专利范围第3或4项之磁头,其特征为磁头为一具有许多转换间隙之多频道磁头,其中导电偏压元件为一般磁通导引元件。6.如申请专利范围第4项之磁头,其特征为导电偏压元件及邻近磁头面之磁通导引元件为一薄膜结构之扁平层部分。7.一种制造磁头之方法,其特征为下列步骤:在导磁原料上以沈积电绝缘材料形成一绝缘层,在绝缘层上以沈积导电、磁可渗透材料而形成层形磁通导引元件,形成连接面,与磁通导引元件成电接触,及在形成磁通导引元件后形成一层形磁阻元件。8.如申请专利范围第7项之方法,其特征为在形成磁阻元件之前,先沈积绝缘材料,然后以机械化学抛光方式执行平面化。图示简单说明:图一为本发明之磁头之第一个具体实例纵向部分图,图二为第一具体实例之剖面图解,图三为本发明之系统之具体实例图解,图四为本发明之磁头第二个具体实例。 |
