具有用于稳定磁状态反平行磁化方向的双元件磁阻传感器

摘要

一种双元件磁阻(MR)传感器，包括由一高阻导电隔离材料隔离的两个MR元件，一个与元件之一在其磁道各边缘对接的硬偏磁材料层具有与这个MR元件相匹配的磁化强度和厚度之乘积值，以在一纵向对其施加偏磁。另一变换偏磁层通过交换耦合在相反的纵向对另一MR元件施加偏磁，以实现两MR元件间的磁稳定。此交换偏磁层与后一MR元件在其磁道边缘对接，并具有与另一MR元件基本匹配的磁化强度和厚度之乘积值。

主权项

1、一种双元件磁阻(MR)传感器，包括：两个MR元件，这两个元件由高阻导电隔层分隔；一个硬偏磁层，它在所述MR元件之一的磁道的每一边缘处与其对接，并具有与所述的一个MR元件基本匹配的磁场强度和厚度之乘积值，以便在一个纵向对所述的一个MR元件施加偏磁；和一个交换偏磁层，它与所述MR元件中的另一个接触，以便通过交换耦合在相反的纵向上对所述的另一个MR元件施加偏磁，由此获得在所述的MR元件之间的磁稳定。