无损检验方法

摘要

一种无损检验方法，包括：第一步骤，产生波长范围从300nm到1200nm的激光，并产生会聚到预定光束直径的激光束；第二步骤，在生产过程期间，预定电连接装置构成用于使在激光束照射到包括晶片和安装状态的衬底中至少待检验的半导体芯片中形成的p-n结和该p-n结附近时由光束感应电流现象产生的光束感应电流通过的预定电流通路；第三步骤，在照射激光束时扫描半导体芯片的预定区；第四步骤，磁通检测装置检测在第三步骤中扫描的每个照射点由激光束产生的光束感应电流感应的磁通；和第五步骤，根据第四步骤中检测的所述磁通确定包括所述半导体芯片的照射点的电流通路中是否存在包括断线缺陷的电阻增加缺陷，或包括短路缺陷的泄漏缺陷。

主权项

1.一种无损检验方法，包括：第一步骤，产生波长范围从300nm到1200nm的激光，并产生会聚到预定光束直径的激光束；第二步骤，在生产过程期间，预定电连接装置构成用于使在激光束照射到至少待检验的、包括晶片状态和安装状态的半导体芯片衬底中形成的p-n结和该p-n结附近时由光束感应电流现象产生的光束感应电流通过的预定电流通路；第三步骤，在照射激光束时扫描半导体芯片的预定区；第四步骤，磁通量检测装置检测在第三步骤中扫描的每个照射点由激光束产生的光束感应电流感应的磁通量；和第五步骤，根据第四步骤中检测的所述磁通量确定包括所述半导体芯片的照射点的电流通路中是否存在包括断线缺陷的电阻增加缺陷，或包括短路缺陷的泄漏缺陷。