| 发明名称 | 图案形成方法 | ||
| 摘要 | 一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥，形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法，在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边，提高图案形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1194383C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN03131009.5 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 远藤政孝;笹子胜 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种图案形成方法，其特征在于，具有：在超临界流体中处理具有空穴或含有机材料的被处理膜，而将所述被处理膜的表面光滑化的工序；在被光滑化的被处理膜的上面形成由化学放大型抗蚀剂构成的抗蚀剂膜的工序；对于所述抗蚀剂膜选择性地照射用于曝光的光而进行图案曝光的工序；对经图案曝光的所述抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀图的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||