发明名称 可变电阻元件及其制造方法与包含其之半导体记忆装置
摘要 本发明提供一种可变电阻元件,其可进行稳定的电阻式变换动作,且具有良好的电阻值保持特性。上述可变电阻元件系于夹持于上部电极1与下部电极3之区域具有可变电阻体2之构成,且利用结晶粒径为30 nm以下之氧化钛或氮氧化钛构成该可变电阻体2。尤其是使可变电阻体2成膜时,于使基板温度为150℃~500℃之条件下进行,藉此形成结晶粒径为30 nm以下之锐钛矿型结晶。根据具有此种构成之可变电阻体2之可变电阻元件,具有如下优良效果:藉由施加电压脉冲,可变电阻体之结晶状态变化,藉此电阻值变化,因此不需要成形过程,藉此可进行稳定的电阻式变换动作,并且即使重复变换次数,电阻变动亦较少,又,即使于高温下长期保管,电阻变动亦较小。
申请公布号 TW200737187 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW095148014 申请日期 2006.12.20
申请人 夏普股份有限公司 发明人 石原数也;细井康成;小林慎司
分类号 G11C11/21(2006.01);H01C7/108(2006.01) 主分类号 G11C11/21(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林宗宏
主权项
地址 日本