| 发明名称 | 具备电容器的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具备电容器的半导体装置及其制造方法，在确保一定的电容器电容的同时可实现高集成化并具有高的可靠性。该半导体装置包含存储单元区和外围电路区，具备在半导体衬底(1)的主表面上从上述存储单元区延伸到外围电路区的绝缘膜(59)。在存储单元区内形成电容器下部电极(170a)，电容器下部电极(170a)包含具有顶面(301)和底面(302)的电容器下部电极部分，使绝缘膜(59)的上部表面位于电容器下部电极部分的顶面(301)和底面(302)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101261994A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200810085834.1 | 申请日期 | 1998.08.17 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 田中义典;清水雅裕;有马秀明 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其中包括：具有主表面的半导体衬底；在上述半导体衬底的主表面上形成的场效应晶体管；与上述场效应晶体管的源极区或漏极区电连接的导电体；与上述导电体电连接并设置成在上述导电体上向上方突出的圆筒状的第1电极；以及沿着上述第1电极的内壁面地隔着电介质设置的第2电极，在与上述主表面垂直的一个剖面，上述第1电极包括外壁间的宽度具有第1长度的第1部分和位于上述第1部分之下并且外壁间的宽度具有大于第1长度的第2长度的第2部分，上述第1部分和上述第2部分的内壁面分别具有粒状结晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||