发明名称 | 衬底处理装置以及半导体设备的制造方法 | ||
摘要 | 改善真空隔绝方式的预备室中的气体的流动。真空隔绝方式的衬底处理装置包括:收容衬底(1)并对衬底进行处理的处理室(34);与处理室(34)连续设置的预备室(23);将保持着多片衬底(1)的衬底保持件(50)运入以及运出处理室(34)的衬底保持件用机构部(40);向预备室(23)供给惰性气体的惰性气体供给口(61);以位于惰性气体供给口(61)上侧的方式设置在预备室(23),并对惰性气体进行排气的第一排气口(71);对预备室(23)抽真空的第二排气口(81);控制部(100),该控制部在对通过第二排气口(81)进行了抽真空的预备室(23)内进行升压后,维持在规定压力时,控制从惰性气体供给口(61)供给的惰性气体仅从第一排气口(71)进行排气。 | ||
申请公布号 | CN100456435C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
申请号 | CN200580030740.9 | 申请日期 | 2005.10.26 |
申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 中岛诚世;谷山智志;寿崎健一;高岛义和 |
分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 陈伟 |
主权项 | 1.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:收容衬底并对衬底进行处理的处理室;与上述处理室连续设置的预备室;将层叠着多片衬底的衬底保持件运入及/或运出上述处理室的衬底保持件用机构部;以位于将衬底层叠保持在上述衬底保持件上的衬底保持区域下侧的方式设置在上述预备室中的、用于供给惰性气体的惰性气体供给口;以位于上述衬底保持区域上侧的方式设置在上述预备室,并对上述惰性气体进行排气的第一排气口;以位于上述衬底保持区域下侧的方式设置在上述预备室中的、用于抽真空的第二排气口;控制部,该控制部在对通过上述第二排气口进行了真空排气的上述预备室内进行升压后、维持在规定压力时,控制从上述惰性气体供给口供给的惰性气体仅从上述第一排气口进行排气。 | ||
地址 | 日本东京都 |