| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的名称为半导体器件及其制造方法，在半导体衬底表面上，形成与半导体衬底导电类型相反的导电类型外延层，在除用作电阻器的部分外的部分中形成沟槽，并且为沟槽填充绝缘薄膜，以三维方式形成相互分隔的U形电阻器。 | ||
| 申请公布号 | CN101378061A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810213400.5 | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 海老原美香 |
| 分类号 | H01L27/08(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 柯广华;王丹昕 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一导电类型半导体衬底；具有不同深度的两种类型沟槽，所述两种类型沟槽设置为使得第二导电类型外延层用作具有大致三维U形外形的电阻器，所述第二导电类型外延层在所述第一导电类型半导体衬底上形成并具有与所述第一导电类型半导体衬底的导电类型相反的导电类型；绝缘薄膜，用于将由所述两种类型沟槽形成的所述电阻器相互电绝缘；以及第二导电类型重掺杂区，其中增大杂质的浓度以获得与设置在所述电阻器两端的金属线的接触。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||