| 摘要 |
La présente invention concerne une plaquette de silicium (10) monolithique type p / type n, présentant, dans un plan vertical de coupe, une alternance de zones (110) dopées n et de zones (120) dopées p, caractérisée en ce que : - chacune des zones (110) et (120) s'étend sur toute l'épaisseur (e) de la plaquette, - deux zones dopées n (110) sont séparées l'une de l'autre dans un plan vertical de coupe par une zone dopée p (120), et - les zones dopées n (110) présentent une concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène et une densité de dislocations moyenne supérieures à celles des zones dopées p (120). Elle concerne encore des procédés de fabrication d'une telle plaquette. |
