发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体器件。这样一种半导体器件的电源布线结构,其包括以倒装芯片方式安装在衬底上的半导体芯片,其降低了内部布线的特性阻抗且由此提高了噪声降低效果,同时实现了在高频电源操作期间的低阻抗。在从平面图观察时的半导体芯片的安装面上的多个周边电极焊盘的内侧区域中,在半导体芯片的保护膜上的第一绝缘膜上,半导体器件具有用于将电力提供至半导体芯片的内侧电源板结构。内侧电源板结构包括在第一绝缘膜上的第一电源板、在第一电源板上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二电源板。 | ||
申请公布号 | CN105789183A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
申请号 | CN201510626947.8 | 申请日期 | 2015.09.28 |
申请人 | 野田士克林股份有限公司 | 发明人 | 小山田成圣 |
分类号 | H01L23/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
主权项 | 一种半导体器件,包括:衬底;以及以倒装芯片方式安装在所述衬底上的半导体芯片,其中,所述半导体芯片包括:在面对所述衬底的安装面的周边部中形成的并且被连接至所述衬底的多个周边电极焊盘;以及在除了形成所述多个周边电极焊盘的部分之外的所述安装面上形成的保护膜,所述半导体器件还包括:在所述半导体芯片的所述保护膜上形成的第一绝缘膜;以及在所述安装面的平面图中的所述多个周边电极焊盘的内侧区域中,在所述第一绝缘膜上形成的内侧电源板结构,并且所述内侧电源板结构被构造为将电力提供至所述半导体芯片,其中,所述内侧电源板结构包括:在所述第一绝缘膜上形成的第一电源板;在所述第一电源板上形成的第二绝缘膜;以及在所述第二绝缘膜上形成的第二电源板。 | ||
地址 | 日本爱知县 |