| 发明名称 | 用于单栅极非易失性存储器件的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了集成电路。集成电路包括：半导体衬底，具有外围区域和存储区域；场效应晶体管，被设置在外围区域中并且具有硅化物部件；以及单浮栅非易失性存储器件，被设置在存储区域中，没有硅化物，并且具有彼此横向隔离的第一栅电极和第二栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102891148B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201210042609.6 | 申请日期 | 2012.02.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 徐英杰;曾皇文 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：半导体衬底，具有外围区域和存储区域；场效应晶体管，被设置在所述外围区域中并且具有硅化物部件；以及单浮栅非易失性存储器件，被设置在所述存储区域中，没有硅化物，并且具有彼此横向间隔的第一栅电极，第二栅电极和第三栅电极；其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极之间具有共用的漏极，所述第三栅电极设置在共用的所述漏极的上方，以连接所述第一栅电极和所述第二栅电极的方式配置所述漏极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||