| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之电容器的方法,此方法包含的步骤为:准备半导体基板;于该半导体基板上形成一层绝缘层;选择性的消除该下部的绝缘层以形成一接触孔洞并曝露该半导体基板;于该接触孔洞中形成插头;于该插头和下部绝缘层上形成钛/氮化钛薄膜;于该钛/氮化钛薄膜一形成第一层氧化钌薄膜;于该第一层氧化钌薄膜上形成第一个旋敷玻璃薄膜;植入杂质到第一个旋敷玻璃薄膜的表面上;于第一个旋敷玻璃薄膜上形成第二个旋敷玻璃薄膜,接着选择性的消除第一个和第二个旋敷玻璃薄膜;利用该第二和第一个旋敷玻璃薄膜做为遮罩,蚀刻该第一层氧化钌薄膜和钛/氮化钛薄膜;消除该第二和第一个旋敷玻璃薄膜,且接着在曝露的第一层氧化钌薄膜,钛/氧化钛薄膜和该下部的绝缘层表面上形成电介质薄膜,此电介质薄膜有特定的电介常数;且于该电介质薄膜上形成第二层氧化钌薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一层氧化钌薄膜藉由溅镀反应器内的钌靶和氧气/氩气在25℃和500℃之间的温度下形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该电介质薄膜藉由Ba0.5Sr0.5TiO3形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该电介质薄膜利用锆酸钛酸铅形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该植入杂质的步骤利用Pt(CO)2Cl2气体当成杂质的原料来完成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该选择性的消除第一和第二个旋敷玻璃薄膜的步骤乃利用CHF3/CF4,O2和Ar等化合物来完成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻第一层氧化钌薄膜和钛/氮化钛薄膜的步骤乃藉由Cl2/O2,Ar气体在反应的离子蚀刻反应器中完成的。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成第二层氧化钌薄膜的步骤乃利用Ru(DPM)3和O2气体当成原料,经由低压的化学蒸气沈积法来完成的。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成第二层氧化钌薄膜的步骤乃利用Ru(DPM)3和O3气体当成原料,经由低压的化学蒸气沉积法来完成的。10.一种制造半导体装置之电容器的方法,此方法包含的步骤为:准备半导体基板;于该半导体基板上形成一层绝缘层;选择性的消除该下部的绝缘层以形成一接触孔洞并曝露该半导体基板;于该接触孔洞中形成插头;于该插头和下部绝缘层上形成第一层氮化钛薄膜;于该第一层氮化钛薄膜上形成氧化钌薄膜;选择性的蚀刻该氧化钌薄膜和第一层氮化钛薄膜;于该氧化钌薄膜,第一层氮化钛薄膜,和下部的绝缘层之曝露表面上形成有高电介常数的电介质薄膜;依序在该电介质薄膜上形成矽化钨薄膜,第二层氮化钛薄膜,和聚合多晶矽膜。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该氧化钌薄膜在低压化学蒸气沈积反应器中于25℃和500℃之间的温度下形成2000A和5000A之间的厚度。12.如申请专利范围第10项之方法,其中选择性的蚀刻该氧化钌薄膜和第一层氮化钛薄膜的步骤藉由Cl2/O2在反应的离子蚀刻反应器中来完成。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该矽化钨薄膜在低压化学蒸气沈积反应器中于300℃和700℃之间的温度下形成。14.如申请专利范围第10项之方法,其中有高的特定电介常数的电介质薄膜藉由Ba0.5Sr0.5TiO3来完成。15.如申请专利范围第10项之方法,其中具高的特定电介常数的该电介质薄膜藉由锆酸钛酸铅而形成。16.一种制造半导体装置之电容器的方法,此方法包含的步骤为:准备半导体基板;于该半导体基板上形成一层绝缘层;选择性的消除该下部的绝缘层以形成一接触孔洞并曝露该半导体基板;于该接触孔洞中形成插头;于该插头和下部绝缘层上形成钛/氮化钛薄膜和钌薄膜;选择性的消除该钌薄膜和钛/氮化钛薄膜;于该选择性消除的钌薄膜上形成氧化钌薄膜;且在该氧化钌薄膜,钛/氮化钛薄膜,和下部绝缘层的曝露表面上形成有高的特定电介常数的电介质薄膜,且接着在电介质薄膜上形成上部电极。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该氧化钌薄膜乃依照第一层氧化钌薄膜和钛/氮化钛薄膜选择性消除的方法形成于第一层氧化钌薄膜之上,且旋敷玻璃薄膜形成于氧化钌薄膜,钛/氮化钛薄膜,和下部绝缘层的曝露表面之上,且接着旋敷玻璃薄膜承受大约30分钟到180分钟的退火处理。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该敷玻璃薄膜藉由包含缓冲氧化物溶液和纯水在100:1的比例混合的溶液加以消除。19.如申请专利范围第16项之方法,其中该电介质薄膜由Ba0.5Sr0.5TiO3形成。20.如申请专利范围第16项之方法,其中该电介质薄膜由锆酸钛酸铅形成。图示简单说明:图一A到一C为半导体装置的截面视图,显示了传统方法制造半导体之电容器的步骤;图二A到二G为半导体装置的截面视图,显示了依照本发明的第一个具体实施例中制造半导体装置之电容器的方法的步骤;图三A到三E为半导体装置的截面视图,显示了依照本发明的第二个具体实施例中制造半导体装置之电容器的方法的步骤;且图四A到四G半导体装置的截面视图,显示了依照本发明的第三个具体实施例中制造半导体装置之电容器的方法的步骤。 |
