| 主权项 |
1.一种利用化学机械研磨法形成动态随机存取记忆体贮存电容器之制造方法,其包括以下步骤:提供一半导体基底,上述基底上形成有隔离物及电晶体元件,其中上述电晶体元件包括闸极和源/汲极区;沈积一第一介电层于上述基底上,再加以平坦化上述介电层;定义图案并蚀刻上述介电层,以露出上述基底而分别做为接点插塞之接触窗及贮存电容器之接触窗;沈积一第一导电层于上述介电层之表面与上述接点插塞接触窗及贮存电容器接触窗中之源/汲极区上,其中于上述贮存电容器接触窗中之第一导电层系做为上述贮存电容器之底电极;沈积一具高介电常数之第二介电层于上述第一导电层之上;沈积一第二导电层于上述第二介电层之上;以及以化学机械研磨法施行平坦化制程,以露出上述第一介电层、第一导电层、及第二介电层,即完成接点插塞及贮存电容器之制作。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述贮存电容器接触窗开口之宽度不小于上述接点插塞接触窗之两倍开口宽度。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中上述第一导电层之厚度不小于上述接点插塞接触窗之开口宽度的二分之一,但是必须小于上述贮存电容器接触窗开口宽度的二分之一。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第一介电层之材料可由二氧化矽、磷矽玻璃、及硼磷矽玻璃之中选择。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第一导电层为一层或多层其材料可为复晶矽、钛、氮化钛、钨、铂、钌、及氧化钌。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第二介电层为一层或多层其材料可为氧化钽、钛酸钡锶、及钛锆酸铅或其混合物。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第二导电层之材料可为一层或多层之钨、铂、铝-矽-铜合金。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述第二导电层之厚度必须能够填满上述贮存电容器接触窗所在之位置。图示简单说明:第一图系显示依据S. O. Park等人之方法所形成之记忆单元电容器结构;以及第二A图至第二G图系概要显示依据本发明之电容器制作流程剖面图。 |
