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1.一种非对称源极汲极结构之快闪记忆体记忆单元之制造方法,包括下列步骤:(a)提供一第一型矽基底,在该矽基底上形成一隧穿氧化层;(b)在该隧穿氧化层上形成一第一复晶矽层;(c)于该第一复晶矽层表面依序形成一介电层、以及一第二复晶矽层;(d)定义该第二复晶矽层,之后依序以蚀刻去除该第二复晶矽层、该介电层、该第一复晶矽层、以及该隧穿氧化层,形成一控制闸极层和一浮动闸极层;(e)以该控制闸极层为罩幕,用一第二电性离子对该矽基底进行掺杂,形成一源极区与一汲极区;(f)以该控制闸极层为罩幕,用一第三电性离子对该矽基底进行由源极区向汲极区倾斜角度约为25至45度之单向掺杂,在该源极区下方和该源极区靠该隧穿氧化层内侧与该汲极区部份下方形成一淡的第二型杂质扩散区;(g)形成一绝缘层,以乾蚀刻去除该绝缘层,在该控制闸极层两侧形成复数个间隙壁;(h)形成一光阻层,以微影制程定义该光阻层,露出该汲极端之该间隙壁;(i)以蚀刻去除露出该汲极区上方之间隙壁;(j)以该光阻层与该控制闸极层为罩幕,用一第一电性离子对该矽基底进行由该汲极区向该源极区倾斜角度约为25至45度之单向掺杂,在该汲极区部份下方和该汲极区靠该隧穿氧化层内侧形成一第一型杂质扩散区;以及(k)去除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一型系为P型,第二型系为N型。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一复晶矽层系为高杂质浓度之复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该介电层为二氧化矽/氮化矽/二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该第二复晶矽层系为高杂质浓度之复晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(e)中之该第二电性离子为砷离子。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该第三电性离子为磷离子。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该第三电性离子,其能量约为30至80KeV,浓度约为1013至1014atoms/cm2。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(j)中之该第一电性离子为硼离子。10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该步骤(j)中之该第一电性离子,其能量约为60至80KeV,浓度约为1014至1015atoms/cm2。图示简单说明:第一图是传统快闪记忆体之电晶体记忆单元的结构示意图;以及第二A至二G图是依照本发明一较佳实施例,一种非对称之源极与汲极口袋结构之快闪记忆体记忆单元之制造剖面流程图。 |
