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<P>L'amplificateur adaptateur haute impédance comprend un premier transistor à effet de champ (T1), monté en drain commun, dont la grille (G1) est reliée à une première borne (BK) de la photodiode (PHD), et dont la source (S1) est reliée à une deuxième borne (BA) de la photodiode (PHD) à travers un circuit (CBO, LBO) ayant des propriétés capacitives et inductives choisies pour supprimer les effets capacitifs de la photodiode sur toute la très large bande de fréquences, pour découpler le signal continu du signal hyperfréquence, et pour minimiser au voisinage de la fréquence de coupure et au-delà, l'impédance globale constituée par l'impédance de la source de courant, l'impédance du circuit et l'impédance de sortie du premier transistor.</P>
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