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发明名称 Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
摘要
申请公布号 DE69407318(D1) 申请公布日期 1998.01.29
申请号 DE19946007318 申请日期 1994.02.01
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., KADOMA, OSAKA, JP 发明人 YASUSHI, OKUDA, TAKATSUKI-SHI, OSAKA, JP;ODAKE, YOSHINORI, KATANO-SHI, OSAKA, JP;NAKAO, ICHIRO, KADOMA-SHI, OSAKA, JP;ICHIKAWA, YOUHEI, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA-KEN, JP
分类号 H01L21/336;H01L27/115;H01L29/06;H01L29/788;(IPC1-7):H01L29/788 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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