对ESD具最佳防护作用之MOS

摘要

具有用以对抗MOS四极体之闸极1及闸极2上之电压之保护装置之此MOS四极体，在触发电压(Uz)被超过后，具有相当低值之触发电阻(rz)之保护电路对静电放电具有最佳之防护作用。用以保护闸极1之保护装置之触发电压小于用以保护闸极2之保护装置之触发电压。用以保护闸极1之保护装置之触发电阻小于用以保护闸极2之保护装置之触发电阻。

主权项

1﹒一种具有用以对抗MOS四极体之闸1I及闸极2之过电压之保护装置之MOS四极体,在触发电压(U2)被超过后,保护装置各具有一相当低値之触发电阻(rz),其徵为用以保护闸极1之保护装置之触发电压低于用以保护闸极2之保护装置之触发电压,及用以保护闸极1之保护装置之触发电阻小于用以保护闸极2保护装置之解发电阻。2﹒如申请专利范围第1项所述之MOS四极体,其特征为用以保护闸极1之保护装置之触发电阻之値小于用以保护闸极2之保护装置之触发电阻之値之75%。3﹒如申请专利范围第1或2项所述之MOS四极体,其特征为用以保护闸极1之保护装置之触发电阻之値小于用以保护闸极2之保护装置之触发电阻之値之55%。图示简单说明附图显示用以保护MOS四极体之闸极之一种保护电路之特性曲线。