发明名称 平面变压器
摘要 本发明之目的在于提供一种容易小型薄型化,且藉由改变1次平面线圈的绕线数与2次平面线圈的绕线数很容易改变输出电压,而可以减少发热,且几乎没有电磁波杂讯放射之平面变压器。系一在由磁性体所构成之基体形成收容沟,且将1次平面线圈与2次平面线圈收容在该收容沟内的平面变压器,将1次平面线圈与2次平面线圈之至少其中一个分割成多个而构成可以自由地改变输电压。
申请公布号 TW318248 申请公布日期 1997.10.21
申请号 TW085116342 申请日期 1996.12.31
申请人 阿尔普士电气股份有限公司 发明人 山口崇;頩田一郎
分类号 H01F38/40 主分类号 H01F38/40
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种平面变压器,其主要特征在于:在由磁性体所形成之基体上形成收容沟,将1次平面线圈与2次平面线圈收容在该收容沟内,1次平面线圈与2次平面线圈之至少其中一者系由多个导体所形成,而能够自由地改变输出电压。2.如申请专利范围第1项之平面变压器,上述1次平面线圈与2次平面线圈系被积层配置在磁性体的收容沟内,而在所积层之1次平面圈线与2次平面线圈之间配置主绝缘层。3.如申请专利范围第2项之平面变压器,在1次平面线圈与2次平面线圈之间被配置的主绝缘层或是间隙绝缘层系由自聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚酯、聚四氟乙烯等之氟化树脂、聚醯亚胺树脂、聚对苯二甲酸酯乙二醇酯、耐纶、环氧树脂中所选出之一种所形成。4.如申请专利范围第1项之平面变压器,上述平面线圈被形成蜿蜒状或是涡漩状。5.如申请专利范围第1项之平面变压器,上述间隙绝缘层的厚度系设在1-50m的范围内。6.如申请专利范围第1项之平面变压器,在被积层在收容沟之平面线圈中之上部的平面线圈与下部之平面线圈之各横断面的宽度被形成为较位在中央侧之平面线圈之横断面的宽度为短。7.如申请专利范围第1项之平面变压器,在上述其中1个基体形成与其他之基体的收容沟相似形状的沟。8.如申请专利范围第1项之平面变压器,1次平面线圈与2次平面线圈之至少其中1者乃沿着及于其全长的中心线被分割为2,而被分割之1次平面群或是2次平面群则彼此被连接而成为连续平面线圈。9.如申请专利范围第1项之平面变压器,收容沟的沟宽被设在0.2-2mm的范围内。10.如申请专利范围第1项之平面变压器,上述其中1个基体或是2个基体是由在1MHz下之透磁率为200以上的磁性体所构成。11.如申请专利范围第1项之平面变压器,平面变压器系被设成由导电材料所形成之箔体与树脂薄膜的2层构造,或是将由导电材料所形成之箔体配置在树脂薄膜之两面的3层构造。12.一种平面变压器,其主要特征:具备有:由磁性体所形成之多个基体,介于该些之间的间隙绝缘层,以及被收容于此之1次平面线圈与2次平面线圈,而在上述多个基体中之至少其中1者的一面上形成沿着各平面线圈之几乎全长之形状的收容沟,将1次平面线圈、主绝缘层以及2次平面线圈积层收容在该收容沟内,而基体则彼此经由间隙绝缘层被一体化。13.如申请专利范围第12项之平面变压器,上述平面线圈被形成为蜿蜒状或是涡漩状。14.如申请专利范围第12项之平面变压器,上述间隙绝缘层的厚度系设在1-50m的范围内。15.如申请专利范围第12项之平面变压器,在被积层在收容沟之平面线圈中之上部的平面线圈与下部之平面线圈之各横断面的宽度被形成为较位在中央侧之平面线圈之横断面的宽度为短。16.如申请专利范围第12项之平面变压器,在上述其中1个基体形成与其他之基体的收容沟相似形状的沟。17.如申请专利范围第12项之平面变压器,1次平面线圈与2次平面线圈之至少其中1者乃沿着及于其全长的中心线被分割为2,而被分割之1次平面群或是2次平面群则彼此被连接而成为连续平面线圈。18.如申请专利范围第12项之平面变压器,收容沟的沟宽被设在0.2-2mm的范围内。19.如申请专利范围第12项之平面变压器,上述其中1个基体或是2个基体是由在1MHz下之透磁率为200以上的磁性体所构成。20.如申请专利范围第12项之平面变压器,在1次平面线圈与2次平面线圈之间被配置的主绝缘层或是间隙绝缘层系由自聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚酯、聚四氟乙烯等之氟化树脂、聚醯亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、耐纶、环氧树脂中所选出之一种所形成。21.如申请专利范围第12项之平面变压器,平面变压器系设成由导电材料所形成之箔体与树脂薄膜的2层构造,或是将由导电材料所形成之箔体配置在树脂薄膜之两面的3层构造。图示简单说明:第一图系表本发明之平面变压器之第1例的分解立体图。第二图系表本发明之平面变压器之第1例的侧面图。第三图系表第二图之平面变压器的部分放大图。第四图系表在制造本发明之平面变压器之方法中所使用之其中1个基体与另1个基体的立体图。第五图系表在第四图所示之2个基体两方形成收容沟之状态的立体图。第六图系表收容在第五图所示之收容沟内之线圈之一例的立体图。第七图系表本发明之平面变压器之第2例的分解立体图。第八图系表本发明之平面变压器之第2例的侧面图。第九图系表本发明之平面变压器之第3例的分解立体图。第十图系表本发明之平面变压器之第4例的分解立体图。第十一图系表第4例之平面变压器之磁束位置的说明图。第十二图系表本发明之平面变压器之第5例的分解立体图。第十三图系表本发明之平面线圈之其他例的平面图。第十四图系表在实施例中所制造之平面变压器之各部分之尺寸的侧面图。第十五图系表实施例之平面变压器之导体宽度与结合系数之关系的说明图。第十六图系表在实施例中将绕线比设为1:4时之平面变压器之间隙宽度tg与结合系数(coupling coefficient)之关系的说明图。第十七图系表在实施例中将绕线比设为1:2时之平面变压器之间隙宽度tg与结合系数之关系的说明图。第十八图系表在实施例中取消间隙时之平面变压器之电流与电力传达效率之关系的说明图。第十九图系表在实施例中将间隔设成5m时之平面变压器之电流与电力传达效率之关系的说明图。第二十图系表在实施例中取消间隙时之平面变压器之位置与磁束密度之振幅之关系的说明图。第二十一图系表在实施例中将间隙设成5m时之平面变压器之位置与磁束密度之振幅之关系的说明图。
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