| 发明名称 | 分离装置、分离方法及制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 通过键合单晶硅层形成于多孔层上和绝缘层形成于单晶硅层上的第一衬底与第二衬底得到键合衬底叠片,在多孔层分离该键合衬底叠片时,防止了分离的衬底的外围发生锯齿缺陷。在一个方向(R)绕轴(C)使键合衬底叠片(30)旋转的同时,从喷嘴(112)喷射流体,并注入到键合衬底叠片(30)的多孔层,从而在多孔层将键合衬底叠片(30)分成两个衬底。在分离键合衬底叠片(30)的外围部分时,喷嘴(112)位于范围(B)内。 | ||
| 申请公布号 | CN1264920A | 申请公布日期 | 2000.08.30 |
| 申请号 | CN00101846.9 | 申请日期 | 2000.02.02 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆;栗栖裕和 |
| 分类号 | H01L21/08 | 主分类号 | H01L21/08 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种分离其内具有分离层(12)的盘形部件(30)的分离装置(100)，其特征在于：包括：固定机构(108，109)，在绕垂直于分离层(12)的轴旋转盘形部件(30)时用于固定盘形部件，流体喷射部分(112)，用于将流体流注入到由所说固定部分(108，109)固定的盘形部件(30)的分离层(12)，从而利用流体在分离层(12)分离盘形部件(30)，其中在分离盘形部件(30)的外围部分时，盘形部件(30)的旋转方向、流体的运动方向和所说喷射部分(112)的位置保持满足以下条件，即，假定流体的运动方向为正方向，在流体注入到盘形部件(30)的位置，盘形部件(30)外围部分速度的运动方向分量为负值。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||