| 摘要 |
测试一种具有至少两个电阻状态之记忆体(10、60)。在一形态中，该记忆体包括一具有被耦合至记忆体单元(14、64)之电流电极的第一电晶体(16、68)，及一具有被耦合至参考记忆体单元(28、74)之电流电极的第二电晶体(26、66)。该第一电晶体之控制电极基于测试控制讯号来接收一第一参考电压或一第二参考电压，且第二电晶体之控制电极接收该第一参考电压。在一测试模式中，在以一电阻状态将该记忆体单元程式化之后，该第二参考电压(不同于第一参考电压)被提供至该第一电晶体。接着，该记忆体单元被读取，以确定该记忆体可否感应先前已程式化的电阻状态。在一实施例中，可使用该测试模式以辨识记忆体中之微弱位元。 |
