半导体装置、半导体装置的放热构造以及其制造方法

摘要

由于半导体装置之放热，知以高热传导性树脂被形成以连续覆盖半导体元件上面与基板上面，故在实际做为制品时，因为环境温度的变化，热膨胀系数差异所造成的变形差异会在基板与高热传导性树脂或半导体元件与高热传导性树脂处产生，进而有产生断裂的可能性。在本发明中，高放射材被独立地形成在基板上面与半导体装置上面。即使在温度变化的环境下，也可以减低应力集中而发生断裂的可能性。