| 发明名称 | 包括有均匀分布的硅纳米点的栅的存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造存储器的方法，该存储器包括具有均匀分布的硅纳米点的栅。该方法包括：在衬底上形成栅，该栅具有绝缘薄膜，还具有在该绝缘薄膜中顺序叠放并且以预定距离彼此隔开的纳米点层和导电薄膜图案；在衬底中形成源区和漏区；以及分别在源区和漏区形成第一和第二金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN100343979C | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200510071668.6 | 申请日期 | 2005.03.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳寅儆;郑守桓;柳元壹 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 魏晓刚;李晓舒 |
| 主权项 | 1.一种制造存储器的方法，包括：在衬底上形成栅，所述栅包括绝缘薄膜，还包括形成在所述绝缘薄膜中的纳米点层和导电薄膜图案，该导电薄膜图案位于该纳米点层上方且与之绝缘；在所述衬底中形成源区和漏区；以及分别在所述源区和漏区上形成第一和第二金属层，其中，该纳米点层中的纳米点通过提取形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||