发明名称 | 高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法,包含以下步骤:首先提供一基板;接着,形成一多晶硅薄膜晶体管于该基板之上;接着,形成一绝缘层覆盖该薄膜晶体管;接着,刻蚀该绝缘层以形成多个接触窗;在覆盖阻水氧层于该多个接触窗之后,对该薄膜晶体管进行一高压水气退火制程。 | ||
申请公布号 | CN100456440C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
申请号 | CN200510087786.6 | 申请日期 | 2005.08.08 |
申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 刘俊彦;许国斌;曾章和;王士宾;张世昌 |
分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 1.一种高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法,其特征在于,包含:提供一基板;形成一多晶硅薄膜晶体管于该基板之上,其中该多晶硅薄膜晶体管具有一源极、一漏极、及一栅极,而该栅极的材质为Ti、ITO、Cr或重掺杂多晶硅;形成一绝缘层覆盖该薄膜晶体管;刻蚀该绝缘层以形成多个接触窗;以及在覆盖一阻水氧层于所述多个接触窗之后,对该薄膜晶体管进行一高压水气退火制造工艺。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区 |