发明名称 高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
摘要 本发明提供一种高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法,包含以下步骤:首先提供一基板;接着,形成一多晶硅薄膜晶体管于该基板之上;接着,形成一绝缘层覆盖该薄膜晶体管;接着,刻蚀该绝缘层以形成多个接触窗;在覆盖阻水氧层于该多个接触窗之后,对该薄膜晶体管进行一高压水气退火制程。
申请公布号 CN100456440C 申请公布日期 2009.01.28
申请号 CN200510087786.6 申请日期 2005.08.08
申请人 统宝光电股份有限公司 发明人 刘俊彦;许国斌;曾章和;王士宾;张世昌
分类号 H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 任默闻
主权项 1.一种高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法,其特征在于,包含:提供一基板;形成一多晶硅薄膜晶体管于该基板之上,其中该多晶硅薄膜晶体管具有一源极、一漏极、及一栅极,而该栅极的材质为Ti、ITO、Cr或重掺杂多晶硅;形成一绝缘层覆盖该薄膜晶体管;刻蚀该绝缘层以形成多个接触窗;以及在覆盖一阻水氧层于所述多个接触窗之后,对该薄膜晶体管进行一高压水气退火制造工艺。
地址 台湾省新竹科学工业园区