| 发明名称 | 多高度鳍片场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种FinFET器件，其具有第一鳍片和第二鳍片。每个鳍片具有沟道区域和从沟道区域延伸的源极和漏极区域。所述鳍片具有不同的高度。本发明具有位于邻近所述鳍片的栅极导体。所述栅极导体垂直于所述鳍片延伸并横跨每个第一鳍片和第二鳍片的沟道区域。所述鳍片相互平行。第一鳍片的高度与第二鳍片的高度的比率包括比率1比2/3。所述比率用于调节晶体管的性能并确定晶体管的总沟道宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN100466229C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200480012028.1 | 申请日期 | 2004.01.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·A·雷尼;E·J·诺瓦克;I·阿勒;J·凯纳特;T·卢德维格 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种FinFET器件，包括:第一鳍片(80)和第二鳍片(81)，每个鳍片包括沟道区域和从所述沟道区域延伸的源极和漏极区域，其中所述第一鳍片(80)和所述第二鳍片(81)具有不同的高度。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||