Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungsstruktur

摘要

Es wird in einem Aspekt der Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungsstruktur bereitgestellt. In einer beispielhaften Ausführungsform wird hierbei ein SOI-Substrat mit einer vergrabenen isolierenden Schicht bereitgestellt, die zwischen einem Halbleitersubstrat und einer Halbleiterschicht angeordnet ist. Ferner wird im SOI-Substrat eine STI-Struktur gebildet, wobei die STI-Struktur einen ersten Vorrichtungsbereich und einen zweiten Vorrichtungsbereich voneinander beabstandet. Der erste Vorrichtungsbereich und der zweite Vorrichtungsbereich sind in der Halbleiterschicht gebildet sind. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Entfernen der Halbleiterschicht und der vergrabenen isolatierenden Schicht im ersten Vorrichtungsbereich nach Bildung der STI-Struktur und ein nachfolgendes Bilden einer ersten Gatestruktur über dem ersten Vorrichtungsbereich und einer zweiten Gatestruktur über dem zweiten Vorrichtungsbereich durch ein Abscheiden, Strukturieren und anisotropes Ätzen von Gatematerialien über dem ersten Vorrichtungsbereich und dem zweiten Vorrichtungsbereich.