| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de transformation d'un dispositif électronique à partir d'un état initial dans lequel le dispositif comprend un premier substrat (100) et un deuxième substrat (300), lesdits premier et deuxième substrats (100, 300) étant solidarisés au moyen d'une interface de collage (800) à partir de leurs premières faces (101, 301) respectives, état initial dans lequel le premier substrat (100) comprend au moins une cavité (120), réalisée à partir de la première face (101) du premier substrat (100), ladite cavité (120) étant bordée d'au moins une zone périphérique (110) et étant remplie au moins partiellement d'une couche tampon (200) dans le fond de la cavité (120), et dans lequel la première face (301) du deuxième substrat (300) est au moins en partie en regard de la cavité (120) du premier substrat (100). Le procédé comprend une étape de retrait du fond de la cavité (120) du premier substrat (100) à partir d'une deuxième face (102), opposée à la première face (101) du premier substrat (100). |
