发明名称 离子布植器之排气系统
摘要 本发明是关于一离子布植器之排气系统,其包括了一将离子布植器内残余气体排除的排气帮浦,一将残余在帮浦内之残余气体排至排气系统外界的排气管,与一气体导入部其将气体自一气体贮存槽引导至排气管,使得该排气管内的副产品为该导入气体所加热,于是来自该帮浦之残余气体与受热的副产品之化学反应将受到抑制。采用此排气系统,在排气管内部不会发生电晕放电,因此排气管可以有效的防止被烧毁。
申请公布号 TW319887 申请公布日期 1997.11.11
申请号 TW085113330 申请日期 1996.11.01
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 文常荣;王常根;朴章裕;金俊君
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼;陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一离子布植器的排气系统,此离子布植器用来将杂质离子布植于半导体晶圆表面上而制造半导体装置,此排气系统包含:一排气帮浦,其将离子布植器内部的残留气体排出;一排气管,其用于将该残留气体自排气帮浦排至排气系统外;及一将气体自气体贮存槽引导至该排气管之气体引导装置,此气体对该排气管内副产品加热,使得来自该排气帮浦之残留气体与该受热之副产品间的化学反应得以抑制。2.如申请专利范围第1项之排气系统,其中该气体引导装置含有一气体供给部,其连接于该排气管与排气系统外部之间,以供应高温气体至该排气管。3.如申请专利范围第1项之排气系统,其中该气体为氮气。4.如申请专利范围第2项之排气系统,其中该气体供给部包括一连接该气体贮存槽与该排气管的气体供给管;与一设在该气体供给管之适当位置的加热器,其将流经该气体供给管之气体加热。图示简单说明:第一图所示是一旧式离子布植器排气系统之示意图;第二图所示,是第一图中旧式排气系统之排气管中之剖面视图,说明凝结现象;第三图所示,是依据本发明之一实施例的离子布植器的排气系统之示意图;及第四图所示,是第三图中之排气系统部份剖面图,用于说明一高温氮气在排气管内的流动状态。
地址 韩国