SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE SEPARATED BY DEVICE ISOLATION

摘要

소자는, 연장부들을 가지며 반도체 기판 위에 형성된 게이트 구조물, 게이트 구조물에 인접하여 반도체 기판 내에 형성되는 소자 절연 구조물 ― 연장부들은 소자 절연 구조물의 일부분 위에 있음 ― , 및 게이트 구조물의 양 측면들 상의 소스/드레인 영역들을 포함하며, 소스/드레인 영역들은 소자 절연 구조물의 갭 내에 형성되고, 게이트 구조물의 연장부들에 의해 부분적으로 둘러싸인다.