发明名称 |
一种自适应存储器装置及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种自适应存储器装置及方法,其特征在于,包括以下步骤:外界预充电装置分别产生预充电开始信号、场效应管译码信号及虚拟子信号;将预充电开始信号施加于第一反相器的输入端,将所述第一反相器输出信号施加至所述第一场效应管的栅极;将场效应管译码信号施加于所述第二场效应管栅极;将虚拟子线信号施加于所述闪存单元的第二端;将输出信号加至所述第一与非门的第二端,将预充电开始信号施加于所述第一与非门的第一端;输出预充电信号。本发明能够跟随外界工艺、温度及电压的变化调整预充电脉冲,提高存储器在读取过程中的预充电速度,进而提高存储器的读取性能。 |
申请公布号 |
CN105810236A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201410853342.8 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
丁冲;苏志强;张君宇;张现聚 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
胡彬;邓猛烈 |
主权项 |
一种自适应存储器装置,其特征在于,包括:第一反相器、第二反相器、第一与非门、第一场效应管、第二场效应管、闪存单元及外界充电装置;其中,所述外界充电装置包括:外界预充电装置、外界译码装置及虚拟子线;所述第一反向器连接外界预充电装置,所述第一反相器输出端连接所述第一场效应管的栅极,所述第一场效应管漏极连接电源正极,栅极与所述第二反相器的输入端及所述第二场效应管漏极相连;所述第二场效应管栅极与外界译码装置相连,用于接收场效应管的译码信号;所述第二场效应管源极与所述闪存单元的第一端相连;所述闪存单元第二端与虚拟子线相连,,所述闪存单元第三端接地;所述第二反相器输出端与所述第一与非门第二端相连,所述第一与非门第一端与所述外界预充电装置相连,接收预充电开始信号。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |