用于沉积Ⅲ-Ⅴ主族半导体层的方法和装置

摘要

本发明涉及沉积III‑V主族半导体层的装置，所述装置具有工艺腔(1)、构成工艺腔底部的、用于容纳一个或多个待镀基片的基座(2)、用于将基座加热到工艺温度的加热装置(3)以及进气机构(4)，所述进气机构具有用来将混合物和金属有机化合物引入工艺腔中的至少一个第一和第二工艺气入口区(5，6，7)。建议腐蚀气入口(9)沿混合物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区下游通入工艺腔中，其中设置控制装置并布置工艺气入口区和腐蚀气入口，使得从工艺气入口区流出的工艺气在沉积半导体层时不进入腐蚀气入口，并且净化工艺腔时从腐蚀气入口流出的腐蚀气不进入工艺气入口区。腐蚀气入口由进气机构周围的工艺气腔盖环形区和用来固定盖板的环形固定元件构成。

主权项

一种用于沉积III‑V主族半导体层的装置，所述装置具有：工艺腔(1)；构成工艺腔(1)底部的、用于容纳一个或者多个待镀基片的基座(2)；用于将基座(2)加热到工艺温度的加热装置(3)；以及进气机构(4)，所述进气机构具有分别用于将工艺气引入工艺腔(1)之中的至少一个第一工艺气入口区(5，7)和第二工艺气入口区(6)，第一工艺气入口区(5，7)与提供V主族混合物作为工艺气的混合物源(13)相连，并且第二工艺气入口区(6)与提供III主族金属有机化合物作为工艺气的金属有机化合物源(12)相连，其中腐蚀气入口(9)与腐蚀气源(11)相连，并且设置了可以由控制装置(22)开关的阀(16，19)和可调节的质量流量控制器(17，18)，以便通过管道系统(21)将混合物、金属有机化合物和腐蚀气分别与载气一起以质量流量可控的方式引入工艺腔(1)之中，其特征在于，腐蚀气入口(9)沿混合物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区(5，6，7)下游通入工艺腔(1)之中，其中，控制装置(22)这样设置并且工艺气入口区(5，6，7)和腐蚀气入口(9)这样布置，使得从工艺气入口区(5，6，7)流出的工艺气在沉积半导体层的时候不能进入腐蚀气入口(9)，并且在净化工艺腔的时候从腐蚀气入口(9)流出的腐蚀气不能进入工艺气入口区(5，6，7)。