FORMATION OF SINGLE CRYSTAL SILICON FILM ON INSULATING FILM,申请号JP19880088732-传众专利搜索

发明名称	FORMATION OF SINGLE CRYSTAL SILICON FILM ON INSULATING FILM
摘要
申请公布号	JPH01259526(A)	申请公布日期	1989.10.17
申请号	JP19880088732	申请日期	1988.04.11
申请人	MATSUSHITA ELECTRON CORP	发明人	NAMURA TAKASHI
分类号	H01L21/762;H01L21/205;H01L21/76;H01L21/84;H01L27/00	主分类号	H01L21/762
代理机构		代理人
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