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<P>L'objectif du procédé est d'éviter des métallisations parasites sur les parois latérales d'un motif en relief (3, 4, 5) qui sert à autoaligner les métallisations d'électrodes dans un transistor (11, 12, 13). <BR/> A cet effet est introduit dans le motif vertical (3, 4, 5) un couple de matériaux semiconducteurs (3,4) qui réagissent différemment vis-à-vis d'un couple de méthodes de gravure, de sorte qu'une couche (4) d'un matériau semiconducteur est plus fortement gravée (6) que l'autre couche (3). Le surplomb (10) ainsi créé interrompt les métallisations parasites éventuelles entre les électrodes (11, 12, 13). <BR/> Application aux transistors à structures verticales.</P>
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