发明名称 电子束曝光系统及其方法
摘要 本发明涉及一种具有掩膜的限制散射角限制型电子束曝光系统,包含散射区和限制孔阑,该孔阑用于限制通过掩膜的散射电子量,限制孔阑包含固定在交叠面附近的第一限制孔阑,其具有中心开孔和围绕中心开孔的闭合细长开孔;第二限制孔阑可沿光轴进行移动并具有中心开孔和围绕中心开孔的闭合细长开孔,同时涉及利用该系统的电子束曝光方法。
申请公布号 CN1264850A 申请公布日期 2000.08.30
申请号 CN00103090.6 申请日期 2000.02.24
申请人 日本电气株式会社 发明人 山下浩
分类号 G03F7/20;G03F7/09;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1.一种具有掩膜的散射角限制型电子束曝光系统,该所述掩膜包含一个散射区和一个限制孔阑,该孔阑可控制通过掩膜的散射电子的量,所述系统包含:第一限制孔阑,固定在交叠面或其附近,并具有一个中心开孔和围绕中心开孔的闭合细长开孔;及第二限制孔阑,其可沿光轴移动并具有一个中心开孔和围绕中心开孔的闭合细长开孔。
地址 日本东京都