层状超晶格材料和ABO<SUB>3</SUB>型金属氧化物的制备方法和在不暴露于氧气下制备包括这些材料的电元件的方法

摘要

将含金属的液体前体涂覆(87)在第一电极(28、58)上,在160℃的第一温度和260℃的第二温度下,在空气中干燥(88、89),在氧气中在 300℃RTP焙烧(90),在氮气中在650℃RTP焙烧(91),并且在氮气中在800℃退火(93)以形成钽酸锶铋层状超晶格材料(30、60)。淀积第二电极(32、77),然后使该元件形成图案(95)以便构成电容器(16、72),在氮气中,在800℃进行第二退火(96)。或者可以在氧气中,在600℃或更低的温度下进行第二退火。以这种方式可以制备层状超晶格材料的高电性能薄膜(30、60),而无需高温氧气退火。

主权项

1、一种制备选自层状超晶格化合物和ABO3型金属氧化物化合物的材料(30、60)的方法，该方法包括：提供(85A、85B、80)基底(18、58)和前体，该前体包含在加热所述前体时自发形成所述材料的有效量的金属部分；将前体涂覆(87)在基底上以形成前体膜；所述方法的特征是，在500℃至900℃的温度下，在无氧气氛中加热前体膜以便在基底上形成所述材料的固体薄膜(30、60)的这一加热步骤(91、93)。