| 发明名称 | 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的反向层迁移率的方法。特别地，本发明提供一种用于将氧化层施加到碳化硅衬底上的方法，以使得所得到的SiC MOSFET的氧化物衬底界面被改进。本方法包括在存在金属杂质的情况下形成氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN1531744A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN02812925.3 | 申请日期 | 2002.06.14 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | R·埃格洛夫;S·穆克赫耶;D·阿洛克;E·阿诺 |
| 分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;梁永 |
| 主权项 | 1.一种用于改进碳化硅金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)[10]中的反向层迁移率的方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底[12]；和在存在金属杂质的情况下，在碳化硅衬底[12]的表面上形成氧化层[14]。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||