Siliciumcarbid-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine SiC-Halbleitervorrichtung umfasst: ein Substrat (1); eine Driftschicht (2) auf einer ersten Seite des Substrats; einen Graben (5) in der Driftschicht; einen Grundbereich (3), der eine Seitenwand des Grabens kontaktiert; einen Sourcebereich (4) in einem oberen Teil des Grundbereichs; eine Gateelektrode (7) in dem Graben mittels eines Gateisolationsfilms (6); eine Sourceelektrode (10) auf dem Sourcebereich; und eine Drainelektrode (13) auf der zweiten Seite des Substrats. Der Sourcebereich hat eine Mehrschichtstruktur einschließlich einer erDie erste Schicht als obere Schicht kontaktiert die Sourceelektrode in leitender Verbindung. Die zweite Schicht als untere Schicht hat eine Konzentration an Fremdatomen (Fremdionen), die niedriger ist als die Konzentration an Fremdatomen (Fremdionen) der ersten Schicht.