发明名称 |
RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP HAVING PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGES AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD |
摘要 |
복사 방출 반도체칩(1)이 기술되며, 상기 반도체칩은 캐리어(5), 및 반도체층 시퀀스를 구비한 반도체 몸체(2)를 포함한다. 반도체층 시퀀스는 복사의 생성을 위해 제공된 활성 영역(20), 제1반도체층(21) 및 제2반도체층(22)을 포함한다. 활성 영역은 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 배치된다. 제1반도체층은 캐리어를 등지는 활성 영역의 면에 배치된다. 반도체 몸체는 적어도 하나의 리세스(25)를 포함하고, 상기 리세스는 활성 영역을 관통하여 연장된다. 제1반도체층은 제1연결층(31)과 전기 전도적으로 연결되고, 이 때 제1연결층은 리세스에서 제1반도체층으로부터 캐리어의 방향으로 연장된다. 제1연결층은 보호 다이오드(4)에 의해 제2반도체층과 전기적으로 연결된다. 또한, 복사 방출 반도체칩의 제조 방법도 기술된다. |
申请公布号 |
KR101632082(B1) |
申请公布日期 |
2016.06.20 |
申请号 |
KR20107020375 |
申请日期 |
2009.06.25 |
申请人 |
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 |
发明人 |
엔글, 칼;한, 베르톨;스트레우벨, 클라우스;클라인, 말쿠스 |
分类号 |
H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L27/15 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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