一种有机半导体材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：其中，R为C₁～C₂₀的烷基，n为10～100的整数，本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使该有机半导体材料在发光层中空穴和电子的传输平衡，还具有较高的三线态能级，三线态能级大于2.75eV，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。该有机半导体材料采用了较简单的合成路线，减少了工艺流程，原材料价廉易得，制造成本得到降低。

主权项

一种有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供化合物A：和化合物B：其中，R为C₁～C₂₀的烷基；在惰性气氛下，将化合物A与化合物B按照摩尔比为1∶1～1∶1.2添加入含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中，在70～130℃下进行Suzuki耦合反应12～96小时，所述催化剂为有机钯或为有机钯与有机磷配体的混合物，得到如下结构式表示的有机半导体材料P：其中，n为10～100的整数。