发明名称 INTERCONNECT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要 본 개시는 기판, 기판 위에 위치하고 1차원 전도 피처의 재료를 구비하는 제1 전도성 피처, 제1 전도성 피처 위에 위치하고 2차원 전도 피처의 재료를 구비하는 제2 전도성 피처, 제1 전도성 피처 및 제2 전도성 피처를 둘러싸는 유전체층을 포함하는 인터커넥트 구조를 제공한다. 제1 전도성 피처의 폭과 제2 전도성 피처의 폭은 10 nm 내지 50 nm의 범위이다. 본 개시는 (1) 유전체 내에 비아 개구 및 라인 트렌치를 형성하고, (2) 비아 개구 내에 1차원 전도성 피처를 형성하고, (3) 라인 트렌치의 측벽, 라인 트렌치의 바닥 및 1차원 전도성 피처의 상면에 컨포멀 촉매층을 형성하고, (4) 라인 트렌치의 바닥 및 1차원 전도성 피처의 상면으로부터 컨포멀 촉매층을 제거하는 것을 포함하는 방법도 제공한다.
申请公布号 KR101634460(B1) 申请公布日期 2016.06.28
申请号 KR20140191915 申请日期 2014.12.29
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 양 신이;티엔 시웬;리 밍한;리 시앙후안;슈 샤우린
分类号 H01L21/28;H01L21/3205 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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