| 主权项 |
1.一种在半导体底材上形成钨插塞之制程,该制程至少包含下列步骤:定义出一接触窗于一半导体MOS元件之一介电层上;形成一金属层,以填入该接触窗;乾式巨蚀刻该金属层,以蚀刻去除大部分该金属层;乾式主要蚀刻该金属层,以蚀刻去除剩余在该介电层表面之该金属层;乾式过度蚀刻该金属层,以去除蚀刻表面之副产物与残余物;及蚀刻后处理,以加强分解与去除剩余之副产物与残余物。2.如申请专利范围第1项之步骤,在定义出该接触窗之后,更包含形成一黏着层于该接触窗上,该黏着层为TiN或TiW,其厚度约为500埃至2500埃之间。3.如申请专利范围第1项之步骤,其中上述之金属层,系以化学气相沈积法沈积之钨层,其厚度约为2500埃至8000埃之间。4.如申请专利范围第3项之步骤,其中乾式巨蚀刻该钨层之步骤,系调整反应气流与压力来调配钨蚀刻比例,以使得晶圆边缘蚀刻较快且产生较少的副产物,其中气流与压力之调整至少包含:氧气流,约为10至100sccm2之间;氩气流,约为50至500sccm2之间;压力约为50至500Pa之间;及SF6气流,约为100至800sccm2之间。5.如申请专利范围第4项之步骤,其中乾式巨蚀刻该钨层之步骤,保留厚度约为500埃至2500埃之间之该钨层。6.如申请专利范围第2项之步骤,其中上述乾式主要蚀刻该金属层之步骤,系以该黏着层为蚀刻终点。7.如申请专利范围第1项之步骤,其中上述蚀刻后处理步骤,RF电力不断供应。8.如申请专利范围第7项之步骤,其中上述蚀刻后处理之电浆处理,系利用一钝气与氧来做组合,该钝气能使电浆安定,以及强化离子轰击去除钨残留物之能力,而氧电浆能分解副产物,以清洗晶圆表面和反应室壁,该钝气可用氩或氦。9.如申请专利范围第7项之步骤,其中上述蚀刻后处理之电浆处理,系利用一钝气与氮来做组合,该钝气能使电浆安定,以及强化离子轰击去除钨残留物之能力,而氮电浆能加强分解副产物,以清洗晶圆表面和反应室壁,该钝气可用氩或氦。10.一种在半导体底材上形成钨插塞之制程,该制程至少包含下列步骤:定义出一接触窗于一半导体MOS元件之一介电层上;形成一黏着层于该接触窗与该介电层上;形成一钨层于该黏着层上,以填入该接触窗;乾式巨蚀刻该钨层,以蚀刻去除大部分该钨层;乾式主要蚀刻该钨层,以蚀刻去除剩余在该黏着层表面之该钨层;乾式过度蚀刻该钨层,以去除蚀刻表面残余物;及蚀刻后处理,以加强分解与去除剩余之副产物与残余物。11.如申请专利范围第10项之步骤,其中上述之黏着层为TiN或TiW,其厚度约为500埃至2500埃之间。12.如申请专利范围第10项之步骤,其中上述之钨层,系以化学气相沈积法沈积,其厚度约为2500埃至8000埃之间。13.如申请专利范围第10项之步骤,其中乾式巨蚀刻该钨层之步骤,系调整气流与压力,以作为调配钨蚀刻比例,以使得晶圆边缘蚀刻较快且产生较少的副产物,其中气流与压力之调整至少包含:氧气流,约为10至100sccm2之间;氩气流,约为50至500sccm2之间;压力约为50至500Pa之间;及SF6气流,约为100至800sccm2之间。14.如申请专利范围第13项之步骤,其中乾式巨蚀刻该钨层之步骤,保留厚度约为500埃至2500埃之间之该钨层。15.如申请专利范围第10项之步骤,其中上述乾式主要蚀刻该金属层之步骤,系以该黏着层为蚀刻终点。16.如申请专利范围第10项之步骤,其中上述蚀刻后处理步骤,RF电力不断供应。17.如申请专利范围第16项之步骤,其中上述蚀刻后处理之电浆处理,系利用一钝气与氧来做组合,该钝气能使电浆安定,以及强化离子轰击去除钨残留物之能力,而氧电浆能分解副产物,以清洗晶圆表面和反应室壁,该钝气可用氩或氦。18.如申请专利范围第16项之步骤,其中上述蚀刻后处理之电浆处理,系利用一钝气与氮来做组合,该钝气能使电浆安定,以及强化离子轰击去除钨残留物之能力,而氮电浆能加强分解副产物,以清洗晶圆表面和反应室壁,该钝气可用氩氦。图示简单说明:第一A图至第一D图为依据习知之钨插塞制程,各阶段完成之元件剖面结构图。第二A图至第二E图为依据本发明之钨插塞制程,各阶段完成之元件剖面结构图。 |
