| 主权项 |
1.一种适用于低热预算之氮化物形成的制程方法,包括下列步骤:提供一半导体元件,且该半导体元件上已形成一第一氧化层;在该第一氧化层上形成一第一层氮化物;在该第一层氮化物上形成一第二层氮化物;以及在该第二层氮化物上形成一第二氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体元件为一动态随机存取记忆体元件。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层,该第一、第二层氮化物,及该第二氧化层构成该半导体元件之氧化层/氮化层/氧化层之绝缘介电层结构。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层为一厚度约15A的原始二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及第二氮化物系皆以氮气、氨气及二氯矽甲烷为反应气体,且作用20分钟沈积而得的氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层系以温度约700℃,操作时间约1小时所形成厚度约为200A的一二氧化矽层。7.一种适用于低热预算之氮化物形成的制程方法,包括下列步骤:提供一动态随机存取记忆体元件,且该记忆体半导体元件上已形成一导电层,以作为该记忆体元件电容器之下极板;在该导电层上形成一第一氧化层;在该第一氧化层上形成一第一层氮化物;在该第一氮化层上形成一第二层氮化物;以及在该第二氮化层上形成一第二氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及第二氮化物系皆以氮气、氨气及二氯矽甲烷为反应气体,且作用20分钟沈积而得的氮化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层系以温度约700℃,操作时间约1小时所形成的一二氧化矽层。图示简单说明:第一图绘示习知DRAM电容器中,其ONO结构之介电层形成的示意图;以及第二图绘示本发明之较佳实施例,一种适用于低热预算之氮化物形成的制程方法,其应用于DRAM电容器之ONO结构介电层之示意图;第三a-三c图绘示习知方法所形成的氮化矽层,在不同的操作条件下,以其标准偏差値所绘制成的电流-电压曲线;以及第四a-四b图绘示本发明两段式沈积氮化层的方法与习知结果比较所得的I-V曲线。 |
