| 发明名称 |
DIELECTRIC ISOLATION TYPE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02260442(A) |
申请公布日期 |
1990.10.23 |
| 申请号 |
JP19890079632 |
申请日期 |
1989.03.30 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
TANZAWA KATSUJIRO;FURUKAWA KAZUYOSHI;FUKUDA KIYOSHI |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/76;H01L29/04;H01L29/78;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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