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Bei einer Eingangsschutzstruktur für integrierte Schaltungen mit mindestens einem Transistor (1), dessen Basis (13') und Emitter (14',19) über einen Widerstand (13") gekoppelt sind, ist der Kollektor (11) als vergrabener Kollektor ausgebildet, wirkt ein unteres Diffusionsgebiet (13) auf dem vergrabenen Kollektor (11) als Basis (13') und als integrierter Widerstand (13") und ist der Emitter (14',19) als Teil einer auf dem Halbleitersubstrat (10) aufgebrachten epitaktischen Schicht (14) ausgebildet.
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