| 发明名称 |
NPN-TYPE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR CONTAINING ANTIMONY COMPOUND BASE FORMED ON SEMIINSULATING INDIUM PHOSPHIDE SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0637104(A) |
申请公布日期 |
1994.02.10 |
| 申请号 |
JP19930127404 |
申请日期 |
1993.05.28 |
| 申请人 |
HUGHES AIRCRAFT CO |
发明人 |
UIRIAMU II SUTANCHINA;TOOMASU SHII HASENBAAGU |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/15;H01L29/205;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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