Method of forming DRAM cell having capacitor in separate substrate

摘要

Der Kondensator ist auf einem ersten Substrat (1) und ein Teil der Schaltungsanordnung mit einem Kontakt (K) ist auf einem zweiten Substrat (2) angeordnet. Das erste Substrat (1) ist mit dem zweiten Substrat (2) verbunden, wobei der Kontakt (K) an den Kondensator angrenzt. Die Verbindung des ersten Substrats (1) mit dem zweiten Substrat (2) kann im wesentlichen unjustiert erfolgen, wenn Teilkondensatoren auf dem ersten Substrat (1) verteilt sind und eine Kontaktfläche des Kontakts (K) so groß ist, daß beim Verbinden der Substrate (1,2) der Kontakt (K) in jedem Fall an mindestens einen der Teilkondensatoren angrenzt, der dann den Kondensator definiert. Der Kondensator kann mehrere Teilkondensatoren umfassen, wodurch seine Kapazität besonders groß wird. Die Schaltungsanordnung ist insbesondere eine DRAM-Zellenanordung. Zur Erzeugung der Teilkondensatoren werden z.B. durch elektro-chemisches Ätzen Poren in dem ersten Substrat erzeugt. <IMAGE>