| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,适用于形成有MOS 电晶体的基板上制作电容器,该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法包括:形成一护层覆盖于该基板表面,该护层形成有一接触窗,以露出该MOS电晶体之源/汲极区中之一者;形成一第一导电层于该护层上,并经由该接触窗与该露出之源/汲极区相接触;形成复数遮蔽岛状物于该第一导电层上;形成复数绝缘物于该等遮蔽岛状物间之该第一导电层上;形成间隔物于该等遮蔽岛状物之侧边;蚀刻该等绝缘物成复数凹槽;去除该等间隔物和该等遮蔽岛状物;蚀刻该第一导电层表面成复数柱状物;去除该绝缘物;定义该第一导电层成该电容器之下电极层;形成一介电层于该下电极层上;以及形成一第二导电层于该介电层上,是为该电容器之上电极层。2.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该第一导电层是经杂质掺植之复晶矽物。3.如申请专利范围第2项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该第一导电层的厚度约介于2000至8000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该护层是以化学气相沈积而得之氧化矽物。5.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该接触窗是以非等向离子蚀刻而得。6.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该等遮蔽岛状物的形成方法包括:依序形成一氧化矽层和一氮化矽层于该第一导电层上;以及蚀刻该氮化矽层和该氧化矽层成该等遮蔽岛状物。7.如申请专利范围第6项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该等绝缘物的形成方法包括:以该等遮蔽岛状物做氧化罩幕;以及施以热氧化处理,致未被该等遮蔽岛状物覆盖之该第一导电层氧化而得。8.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,形成该间隔物的方法包括:形成一复晶矽层覆盖于该基片表面;以及回蚀刻该复晶矽层成该间隔物。9.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该介电层是由氮化矽和氧化矽双层物质构成。10.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该介电层是由氧化矽/氮化矽/氧化矽三层物质构成。11.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该介电层是氧化钽。12.如申请专利范围第1项所述之该动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法,其中,该第二导电层是经杂质掺植而成之复晶矽物。图示简单说明:第一图系显示动态随机存取记忆体的记忆单元部份的电路图;第二图系显示习知动态随机存取记忆单元部份的剖面图;以及第三A-三G图系显示说明本发明之动态随机存取记忆单元用电容器的制造方法一较佳实施例。 |
