| 摘要 |
<p>L'invention se rapporte à un procédé de métallisation d'une plaquette semi-conductrice (W) au cours d'un processus simple de fabrication, qui permet de remplir efficacement un évidement (42) étroit pour interconnexion, ménagé dans la plaquette (W), avec un métal adapté (43) comportant peu de vide et insensible à la contamination, dans le but de créer une interconnexion. Ce procédé comporte une étape de métallisation sans électrode visant à former un film initial (41) sur la plaquette (W) et une étape d'électrométallisation visant à remplir ledit évidement par électrométallisation au moyen du film initial utilisé en tant que couche source d'électricité. L'invention se rapporte également à un appareil conçu pour la métallisation d'une plaquette semi-conductrice selon le procédé décrit ci-dessus.</p> |
